| 型号： | IRF6662TR1PBF | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | International Rectifier | 描述： | MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| IRF6662TR1PBF PDF |  |
| 产品目录绘图 | IR Hexfet Circuit |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | HEXFET® |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 22 毫欧 @ 8.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4.9V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1360pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.8W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET? 等容 MZ |
| 供应商设备封装 | DIRECTFET? MZ |
| 包装 | 标准包装 |
| 其它名称 | IRF6662TR1PBFDKR |